工学

集積回路


MOSFETの直流特性

NMOS (V_{Tn} > 0)

  • カットオフ (V_{GS} < V_{Tn})
    • I_{DS} = 0
  • 線形領域 (V_{GS} \ge V_{Tn}, V_{DS} < V_{GS}-V_{Tn})
    • I_{DS} = \mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{Tn})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}]
      • ここで\beta_{n} = \mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}とする。
  • 飽和領域 (V_{GS} \ge V_{Tn}, V_{DS} \ge V_{GS}-V_{Tn})
    • I_{DS} = \frac{\beta_{n}}{2}(V_{GS}-V_{Tn})^2

PMOS (V_{Tp} < 0)

  • カットオフ (V_{GS} > V_{Tp})
    • I_{SD} = 0
  • 線形領域 (V_{GS} \le V_{Tp}, V_{DS} > V_{GS}-V_{Tp})
    • I_{SD} = \mu_{p}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{Tp})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}]
      • ここで\beta_{p} = \mu_{p}C_{ox}\frac{W}{L}とする。
  • 飽和領域 (V_{GS} \le V_{Tp}, V_{DS} \le V_{GS}-V_{Tp})
    • I_{SD} = \frac{\beta_{p}}{2}(V_{GS}-V_{Tp})^2

トップ   編集 凍結 差分 バックアップ 添付 複製 名前変更 リロード   新規 一覧 単語検索 最終更新   ヘルプ   最終更新のRSS
Last-modified: 2010-02-19 (金) 03:09:08 (4232d)