[[工学]]

*集積回路 [#l3f7c03c]
#contents
----
#main_google_AdSense()

**MOSFETの直流特性 [#o79d78f0]
***NMOS $ (V_{Tn} > 0) $ [#h67fdeff]
-カットオフ $ (V_{GS} < V_{Tn}) $
--$ I_{DS} = 0 $
-線形領域 $ (V_{GS} \ge V_{Tn} $, $ V_{DS} < V_{GS}-V_{Tn}) $
--$ I_{DS} = \mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{Tn})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}] $
---ここで$ \beta_{n} = \mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L} $とする。
-飽和領域 $ (V_{GS} \ge V_{Tn} $, $ V_{DS} \ge V_{GS}-V_{Tn}) $
--$ I_{DS} = \frac{\beta_{n}}{2}(V_{GS}-V_{Tn})^2 $

***PMOS $ (V_{Tp} < 0) $ [#b613490e]
-カットオフ $ (V_{GS} > V_{Tp}) $
--$ I_{SD} = 0 $
-線形領域 $ (V_{GS} \le V_{Tp} $, $ V_{DS} > V_{GS}-V_{Tp}) $
--$ I_{SD} = \mu_{p}C_{ox}\frac{W}{L}[(V_{GS}-V_{Tp})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}] $
---ここで$ \beta_{p} = \mu_{p}C_{ox}\frac{W}{L} $とする。
-飽和領域 $ (V_{GS} \le V_{Tp} $, $ V_{DS} \le V_{GS}-V_{Tp}) $
--$ I_{SD} = \frac{\beta_{p}}{2}(V_{GS}-V_{Tp})^2 $

トップ   編集 差分 バックアップ 添付 複製 名前変更 リロード   新規 一覧 単語検索 最終更新   ヘルプ   最終更新のRSS